0903 12インチSiCが従来の酸化アルミ基板を代替か　― 先進パッケージングに“新材料革命”の兆し

人工知能（AI）チップがより先進的なプロセスへと進化する中、その動作時に発生する高発熱は、性能向上を阻む重要な課題となっている。半導体サプライチェーン関係者によれば、AIチップの高い放熱ニーズに対応するため、先進パッケージング分野において 12インチ炭化ケイ素（SiC）基板 の採用が検討され始めている。この技術展開は、台湾のSiC産業に新たな道を開くだけでなく、材料分野における革命をもたらす可能性を秘めている。

台湾は先進的なウエハー製造およびパッケージング分野で優位性を有しており、将来的に12インチSiC基板が先進パッケージング領域に組み込まれるならば、例えば「ウエハーtoウエハー（W2W）」といった高次技術を活用することで、熱を効率的に抑制することが可能となる。これにより、台湾はSiC産業と半導体製造の強みを垂直統合し、新たな価値を創出する機会を得ることになる。

材料関連のサプライチェーン企業によれば、SiCは優れた熱伝導性能を有しており、AIチップの放熱課題解決に理想的な選択肢であるという。高純度単結晶において、SiCの熱伝導率（K値）は400～500に達し、従来の酸化アルミニウム（Al₂O₃）基板のおよそ200を大きく上回る。この卓越した熱伝導特性は、高温下でAIチップの動作効率を維持する上で極めて重要である。

現状では、12インチ酸化アルミニウム放熱基板市場はほぼ日本企業が独占している。しかし、もし業界がより高い放熱性能を持つSiCへとシフトするならば、台湾に新たな成長機会をもたらし、既存材料サプライチェーンに構造的な変革を引き起こす可能性がある。

感謝以下続。。。12吋SiC取代傳統氧化鋁基板？　先進封裝「新材料革命」浮現　Digitimes