0923　12インチSiC基板のCoWoS導入「二段階」による段階的展開

25/9/23のDigitimes記事を要約すると；

感謝。。。12吋SiC基板導入CoWoS　「兩步驟」階段式行進 近年、価格下落により低迷してきたSiC（炭化ケイ素）産業に、新たな転機が訪れつつある。従来、6インチおよび8インチ基板は電動車や太陽光発電用のパワー半導体に主に使用されてきたが、中国市場の過当競争により収益性は厳しい状況にあった。その一方で、AI半導体の先進封装、特に台積電のCoWoSにおける熱対策ニーズが浮上し、12インチSiC基板への期待が高まっている。

この流れは一見すると跳躍的に映るが、背後には明確な商業ロジックが存在する。第一に、用途の差異である。EVや再生可能エネルギー市場が低価格競争に苦しむのに対し、AI半導体は高付加価値市場であり、収益性が大きい。第二に、技術要求の違いである。CoWoSに求められる12インチSiC熱伝導基板は、パワー半導体用途の基板ほど厳しい電気特性を必要とせず、むしろ平坦度や機械的加工精度が重要となる。これにより、SiC業界は既存の6・8インチの技術的ボトルネックを迂回し、高価値領域から参入する道が開けた。

導入は二段階で進むとみられる。第一段階は多結晶SiCを用いた散熱基板で、すでに小規模導入が始まっており、従来のセラミック基板に代わる役割を担う。電気特性要求が低くCVD製法で量産可能なため、多くのSiCメーカーが参入を模索している。ただし、半導体製程レベルの超高平坦度が必要で、切断・研磨・研磨（CMP）の技術力が勝敗を分ける。

第二段階は2027年頃を目処とした単結晶SiC中間層である。これは従来のシリコン中間層に代わるもので、散熱性能と高抵抗特性を兼ね備える必要があり、PVT法による12インチ単結晶SiCの活用が想定されている。台湾では環球晶が単結晶サンプルを提供し、漢民がCVD品を送付するなど、複数の企業が参入姿勢を示しており、供給網は着実に準備を進めている。

もっとも、SiCはCoWoSにおける散熱ソリューションの「選択肢の一つ」にすぎず、他の素材や技術も検討されている。各ウエハーメーカーは複数の要求仕様を提示し、供給業者はそれぞれ独自の解決策を提案している段階である。したがって、市場にはさまざまな情報が錯綜しており、この分野における技術・材料競争は今後も続くことが予想される。