1021　AIサーバー用電源チップ競争――GaNが速度と技術で勝負を決する

NVIDIAがAIサーバーの800V高電圧電源時代への移行を正式に発表したことで、主要なパワー半導体メーカーの多くが同社の供給網に参入している。各社の技術やソリューションが今後のAIサーバーの実際の要求を満たせるかが、市場の注目点となっている。

この技術競争の中で、ワイドバンドギャップ半導体の中でもGaN（窒化ガリウム）が最重要技術の一つとして注目されている。

従来、GaNは...とりわけAIサーバー分野での性能向上が期待されている。

現在、AIサーバーの800V給電向けパワーチップソリューションでは、...業界内ではGaNの成長ポテンシャルに最も高い期待が寄せられている。

....一部メーカーは1,000Vを超えるGaN技術をすでに開発しており、...さらにはAIサーバーの高電圧給電にも十分対応可能な技術水準に達している。

欧州の大手メーカーは、GaNは技術的にSiC（炭化ケイ素）よりも従来のシリコンとの統合が容易であると指摘している...

特にAIサーバーのように、AIモデル演算に応じて電圧を精密に制御する必要がある分野では、GaNの高速スイッチング特性が他材料に対して優位に働く。

現在、サーバーの電源および冷却設計は、演算モジュールと電源モジュールの分離が進んでおり、計算チップの大型化に伴い、パワー半導体など他のモジュールはより小型・高密度設計へと移行している。これにより、高電力密度を実現するためにワイドバンドギャップ半導体の採用はさらに増加する見込みである。.....

現在、主要なパワー半導体IDMメーカー（Infineon、STMicroelectronics、Rohm、Texas Instrumentsなど）は、すでにGaN技術および量産体制を整備済みである。また、Power IntegrationsなどのIC設計企業も、高電圧GaN技術を武器にサプライチェーンへ参入している。....

感謝以下続。。。Digi　AI伺服器電源供應晶片大戰　GaN將憑速度與技術定勝負