1028 Power Integrations、1250V／1700V PowiGaN技術で800VDCデータセンター電源革命を主導
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- 11月3日
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Power Integrations（PI）は、2025年OCP Global Summitで新白書を発表し、1250 Vおよび1700 V PowiGaN技術が800 V DC電源構成において高効率（>98%）かつ高信頼性を実現することを示した。単一1250 V HEMTは従来の650 V GaN FETや1200 V SiCデバイスよりも高い電力密度を提供し、PIはNVIDIAと協業して800 V DC電源およびメガワット級ラック化を推進する。また、InnoMux 2-EP ICは1700 V PowiGaNスイッチを統合し、1000 V 入力に対応、液冷800 V DCシステムで12 V出力時に90.3%の効率を達成する。PIは高耐圧GaNを量産供給する主要企業であり、2018年以来累計1.75億個超のGaNスイッチを出荷している。
AIサーバの電力需要増大に伴い、800 V DC化は配線効率向上・銅使用量削減に寄与する。PIの1250 V／1700 V PowiGaNデバイスは、次世代AIデータセンターの主電源および補助電源双方に最適解となり、SiC代替として新たな高効率・高信頼電力アーキテクチャを牽引するとみられる。