0129 世界先進VIS、TSMCとGaNライセンス契約を締結

世界先進（VIS）は2026年1月28日、TSMC（台湾積体電路製造）と高電圧650Vおよび低電圧80Vの窒化ガリウム（GaN）プロセス技術に関するライセンス契約を締結したと発表した。本契約により、VISは既存のシリコン基板GaN（GaN-on-Si）を高電圧用途へ拡張するとともに、新基板GaN（GaN-on-QST）を組み合わせ、包括的なパワーGaNプロセス群を構築する。

同社は15V〜1200VをカバーするGaN技術ロードマップを掲げ、成熟した8インチウエハー生産ラインでプロセス検証を実施する計画である。開発は2026年初頭に開始し、2028年上期の量産開始を目標としている。8インチラインの低い減価償却負担と安定したコスト構造を活かし、パワーデバイス受託製造市場での競争力強化を図る。

AI推定

本協業は、成熟プロセス系ファウンドリーがシリコン依存から脱却し、高付加価値のGaNパワーデバイスへ事業軸を移す象徴的事例とみられる。AIデータセンターや車載電子の高電圧化が進む中、VISが8インチGaN量産を確立できれば、電源分野で持続的な成長ドライバーを獲得する可能性が高い。

感謝関連記事。。世界、台積電 簽署GaN授權 - 日報 - 工商時報