0306 ルネサス、GaN電源技術でAI・EV・再エネ市場を横断展開
- Guest
- 3月6日
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本ポッドキャストでは、ルネサスのGaN(窒化ガリウム)製品ポートフォリオが、AIインフラ、太陽光発電、電気自動車(EV)のオンボード充電器(OBC)、EV向けDC/DCコンバータなど、さまざまな電力用途の要件をどのように満たしているかについて議論する。これらの分野では電力変換アーキテクチャが、高電力密度・高効率・モジュール化・インテリジェント化へと急速に進化しており、高電圧バス化、双方向電力フロー、変換段数の削減などの設計トレンドが進んでいる。こうしたシステムレベルの性能向上を実現する重要な技術として、ワイドバンドギャップ半導体であるGaNが注目されている。
ルネサスはGaN(窒化ガリウム)パワー半導体を中核技術として、AIデータセンター、再生可能エネルギー、電気自動車など複数市場に向けた電力ソリューションを展開している。電力変換分野では、高電圧化、双方向電力フロー、変換段数削減などにより、高効率かつ高電力密度の電源アーキテクチャへの移行が進んでいる。GaNは高周波スイッチングと高効率特性により小型化と高出力密度を実現でき、さらに標準的なシリコン製造プロセスを利用可能なため量産性にも優れる。ルネサスはGaNデバイス単体だけでなく、コントローラやドライバICと組み合わせた「GaNエコシステム」を構築し、サーバー電源、太陽光マイクロインバータ、EVのオンボード充電器など幅広い用途に対応している。今後はAIインフラや高電圧電源市場の拡大に伴い、GaNの採用がさらに拡大する見通しである。

