11月10日TTIN TSMC, 台達電Delta, Infineon, HexaTechGuest1 分前読了時間: 2分感謝。参考にした出典は下記に記載しています。1．TSMC、10月売上高が過去最高を更新日付：2026年11月10日要約：TSMCは10月の連結売上高が5,868.9億台湾ドルとなり、前月比14.7％増、前年同月比59.7％増で単月過去最高を更新したと発表。1～10月累計は4兆4,856.17億台湾ドル、前年同期比43.3％増。AIアクセラレーター、ASIC、高性能計算向け先端プロセスの需要が成長を牽引している。市場ではCoWoSなど先進封装の増強も引き続き注目される。pr.tsmc.com+1出典WEBアドレス：https://pr.tsmc.com/chinese/news/33492．台達電Delta、AI電源需要で月商最高日付：2026年11月10日 09:57要約：台達電（Delta Electronics）の10月連結売上高は746.66億台湾ドル、前月比14.2％増、前年同月比30.1％増で過去最高を更新した。1～10月累計は6,143.34億台湾ドル、前年同期比36.3％増。AIデータセンター向け電源需要が成長を支え、液冷事業も拡大している。鄭平董事長は第4四半期売上高が第3四半期を上回るとの見通しを示した。經濟日報出典WEBアドレス：https://money.udn.com/money/amp/story/5710/98683093．Infineon、300mm SiC半導体製造に成功日付：2026年11月9日 18:36（日本時間）要約：Infineonは、オーストリアのVillach工場で直径300mmのSiCウエハーを用いた動作可能なパワー半導体の製造に成功したと発表した。既存のシリコン製造装置を活用し、200mmウエハー比でチップ取得数を約2.3倍に増やせるとしている。量産開始時期は未定。AIデータセンター、電力変換、EV向けSiCの製造コスト低減につながる可能性があり、台湾のパワー半導体供給網にも重要な技術動向である。EE Times Japan+1出典WEBアドレス：https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2611/09/news079.html4．HexaTech、100mm単結晶AlN基板を製品化日付：2026年11月10日 10:30（日本時間）要約：スタンレー電気の米国子会社HexaTechは、直径100mmの単結晶窒化アルミニウム（AlN）基板を製品化した。2026年2月の76.2mm基板に続く大口径化で、今後150mm以上を目指す。AlNは高耐圧・高温動作に適し、次世代パワー半導体、高周波デバイス、光電子デバイスへの応用が期待される。台湾の化合物半導体・高周波通信材料開発にとっても参考となる技術進展である。EE Times Japan出典WEBアドレス：https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2611/10/news018.htmlTTIN: Taiwan Technology Industry News
