0424 米国の対中メモリ規制で台湾メーカーに追い風
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- 4月24日
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米国議会は22日、2018年以来最大規模となる輸出規制政策を打ち出し、中国大陸の半導体開発を強く抑え込む方針を示しました。特に注目されているのは、国家安全保障を理由に、長鑫存儲と長江存儲という中国大陸の記憶体大手2社に対し、半導体製造設備の販売を禁止するよう米議会に働きかけている点です。業界では、米国が中国大陸の記憶体サプライチェーンに強い規制をかければ、市況の安定にプラスとなり、南亜科や華邦など台湾メーカーが恩恵を受けるとの見方が出ています。
米国議会は、中国大陸の半導体産業、とくに記憶体分野への規制を強化する方向に動いています。今回、下院外交委員会は20項目の輸出管理関連法案を通過させ、その中でもMATCH法案は、半導体製造設備の対中規制を同盟国にも同水準で求める内容です。長鑫存儲と長江存儲の急成長を国家安全保障上のリスクと位置づけ、米政府・議会に追加措置を要請しています。中国勢はDRAM、NANDの双方で生産能力を拡大しており、これが記憶体市況を再び悪化させる懸念があります。米国が規制を強化すれば、中国メーカーの拡産スピードが抑えられ、南亜科、華邦など台湾記憶体メーカーには市況安定と価格維持の面で追い風となります。ただし、関連法案はまだ初期段階であり、今後の議会審議や国防関連法案への組み込みが焦点です。