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0902 X-FAB、XG035 dModeプロジェクト向けにGaN-on-Siファウンドリを提供 ― オープンアクセスMPW、試作、量産に対応

  • Guest
  • 7 日前
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ベルギー・テッセンデルローに本社を置くアナログ/ミックスドシグナルおよび特殊ファウンドリである X-FAB Silicon Foundries SE は、高電力アプリケーション向けのガリウムナイトライド(GaN)プロセス技術における専門性を基盤として、同社の XG035テクノロジープラットフォーム の一環として、dModeデバイス向けの GaN-on-Siliconファウンドリサービス を開始した。これにより、純粋ファウンドリとしての強みをさらに発揮し、GaNやその他のワイドバンドギャップ(WBG)材料 ― シリコンカーバイド(SiC)を含む ― に対応する一連のプロセス技術を提供することで、ファブレス半導体企業を支援する体制を整えている。


X-FABは、世界で6か所ある生産拠点の一つであるドレスデン(ドイツ)の8インチファブにおいて GaN-on-Si技術 を提供している。ドレスデン工場には、GaNの開発・生産に最適化された各種専用プロセス装置、計測ツール、技術が導入されており、アナログCMOSと併せて、自動車認証を取得したファブ環境内で稼働している。さらに、同拠点の設備は、顧客が求める厚みのあるGaN-on-Siウェハーの取り扱いにも最適化されており、自動車、データセンター、産業機器、再生可能エネルギー、医療など多様な分野の要求に対応している。


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