1028 PI社 1250 V／1700 V PowiGaN技術によるAIデータセンター向け800 VDC電源アーキテクチャ
- Guest
- 2025年10月31日
- 読了時間: 1分
省エネ型パワーコンバージョン分野の高電圧ICメーカーであるPower Integrations（PI）は、自社のPowiGaN窒化ガリウム技術が次世代AIデータセンターにおいて持つ優位性を発表した。Power Integrationsは、サンノゼで開催された「2025 OCP Global Summit」において、新たなホワイトペーパーを発表し、1250 Vおよび1700 V PowiGaN技術が800 VDC電源アーキテクチャに対して有する利点を詳述した。なお、同会議ではNVIDIAが800 VDCアーキテクチャの最新動向を共有しており、Power IntegrationsはNVIDIAと連携し、800 VDC電源およびメガワット級ラックへの移行を加速している。
このホワイトペーパーでは、Power Integrationsが業界で初めて開発した1250 V PowiGaN HEMTの性能優位性を紹介し、実地検証に基づく高い信頼性、および800 VDCアーキテクチャで要求される高い電力密度と効率（98%以上）を満たす能力を示している。さらに、単一の1250 V PowiGaNスイッチングデバイスが、スタック構成の650 V GaN FETや他社製の1200 V SiCデバイスと比較して、より高い電力密度と変換効率を実現することも示された。